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半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)頻率|真空度|功率|氧氣流量的調(diào)整

更新時(shí)間:2023-02-24      點(diǎn)擊次數(shù):760
   等離子體又叫做電漿,是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì),它廣泛存在于宇宙中,常被視為是除去固、液、氣外,物質(zhì)存在的第四態(tài)。等離子體是一種很好的導(dǎo)電體,利用經(jīng)過巧妙設(shè)計(jì)的磁場可以捕捉、移動(dòng)和加速等離子體。等離子體物理的發(fā)展為材料、能源、信息、環(huán)境空間,空間物理,地球物理等科學(xué)的進(jìn)一步發(fā)展提新的技術(shù)和工藝。
  半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)是一種全新的高科技技術(shù),利用等離子體來達(dá)到常規(guī)清洗方法無法達(dá)到的效果??捎糜诠饪棠z灰化/殘膠去除和表面處理,該設(shè)備能在不破壞晶片和其他所用材料的外觀特性、熱力學(xué)特性和電氣特性的前提下,清洗和去除晶片表面的有害雜質(zhì),這對于通用性非常重要,半導(dǎo)體元件的穩(wěn)定性和集成度。否則會(huì)對半導(dǎo)體元器件的性能指標(biāo)造成嚴(yán)重的問題和干擾,嚴(yán)重影響產(chǎn)品合格率,阻礙半導(dǎo)體元器件的整體發(fā)展。
  等離子去膠機(jī)主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達(dá)到去除物體表面污漬的目的。就反應(yīng)機(jī)理來看,等離子體清洗通常包括以下過程:無機(jī)氣體被激發(fā)為等離子態(tài);氣相物質(zhì)被吸附在固體表面;被吸附基團(tuán)與固體表面分子反應(yīng)生成產(chǎn)物分子;產(chǎn)物分子解析形成氣相;反應(yīng)殘余物脫離表面。
  半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)頻率|真空度|功率|氧氣流量的調(diào)整
  將待拆模插入石英舟內(nèi)平行氣流方向推至真空室兩電極之間,抽真空至1.3Pa,引入適量氧氣,保持反應(yīng)室壓力在1.3-13Pa,加高頻功率,電極間產(chǎn)生薰衣草輝光放電。通過調(diào)節(jié)功率、流量等工藝參數(shù),可獲得不同的脫膠率。當(dāng)去除膠膜時(shí),輝光消失。
  1、調(diào)整合適的頻率:
  頻率越高,氧越容易電離形成等離子體。如果頻率過高,使電子振幅短于其平均自由程,電子與氣體分子碰撞的概率就會(huì)降低,導(dǎo)致電離率降低。通常,公共頻率為13.56MHz和2.45GHz。
  2、調(diào)整合適的真空度:
  適當(dāng)?shù)恼婵斩瓤梢允闺娮舆\(yùn)動(dòng)的平均自由程更大,因此從電場中獲得的能量更大,有利于電離。此外,當(dāng)氧氣流量必須準(zhǔn)時(shí)時(shí),真空度越高,氧氣的相對份額越大,活性顆粒濃度越大。但如果真空度過高,活性粒子的濃度反而會(huì)降低。
  3、調(diào)整適當(dāng)?shù)墓β剩?/div>
  關(guān)于一定量的氣體,功率大,等離子體中活性粒子的密度也高,脫膠速度也快;但當(dāng)功率增加到一定值時(shí),響應(yīng)消耗的活性離子達(dá)到飽和,脫膠速度隨功率的增加不明顯增加。由于功率大,襯底溫度高,需要根據(jù)技術(shù)要求調(diào)整功率。
  4、氧氣流量的調(diào)整:
  氧氣流量大,活性顆粒密度大,脫膠速率加快;但如果通量過大,離子的復(fù)合幾率增加,電子運(yùn)動(dòng)的平均自由程縮短,電離強(qiáng)度反而降低。如果回轉(zhuǎn)室的壓力不變,流量增加,則還增加了被抽出的氣體量,也增加了不參與回轉(zhuǎn)的活性顆粒量,因此流量對脫膠率的影響不是很顯著。

半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)

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